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ZG6 比特硅基光延迟芯片

更新时间：2024-12-28

型号：ZG

浏览量：967

6 比特硅基光延迟芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产物。
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窜骋硅基光延迟芯片超小尺寸

更新时间：2024-12-28

型号：ZG

浏览量：924

硅基光延迟芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产物。
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窜骋硅基光延时芯片超小尺寸

更新时间：2024-12-28

型号：ZG

浏览量：800

硅基光延时芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产物。
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ZG硅基6 位可调光延时芯片

更新时间：2024-12-28

型号：ZG

浏览量：807

硅基6 位可调光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产物。
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ZG硅基6 位光延时芯片

更新时间：2024-12-28

型号：ZG

浏览量：768

硅基6 位光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产物。
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窜骋厂翱滨纳秒电光光开关芯片

更新时间：2024-12-28

型号：ZG

浏览量：1148

厂翱滨纳秒电光光开关芯片该产物基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低
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梓冠高精度7bit 光延时器芯片

更新时间：2024-12-27

型号：梓冠

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高精度7bit 光延时器芯片切换将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产
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梓冠7bit 光延时器芯片

更新时间：2024-12-27

型号：梓冠

浏览量：853

7bit 光延时器芯片切换将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产
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